制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-523-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:50 V
Id-連續(xù)漏極電流:280 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓:490 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:5 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:150 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.75 mm
長度:1.6 mm
產(chǎn)品:MOSFET Small Signal
系列:DMN5L06
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:0.8 mm
商標(biāo):Diodes Incorporated
正向跨導(dǎo) - 最小值:200 mS
產(chǎn)品類型:MOSFET
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
單位重量:2 mg
DMN5L06TK-7
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN5L06TK-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | DIODES[Diodes Incorporated] | 176.41 Kbytes | 共4頁 | 產(chǎn)品購買 |
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