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DMN5L06WK-7
規(guī)格信息：

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-323-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:50 V

Id-連續(xù)漏極電流:300 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:490 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:5 V

最小工作溫度:- 65 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:250 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1 mm

長(zhǎng)度:2.15 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:DMN5L06

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:1.3 mm

商標(biāo):Diodes Incorporated

正向跨導(dǎo) - 最小值:200 mS

下降時(shí)間:8.4 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:1.8 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:14.4 ns

典型接通延遲時(shí)間:2.1 ns

單位重量:6 mg

DMN5L06WK-7

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購買
DMN5L06WK-7	Low On-Resistance: RDS(ON)	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	85.93 Kbytes	共1頁		產(chǎn)品購買
DMN5L06WK-7	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODES[Diodes Incorporated]	143.54 Kbytes	共5頁	CEM2082,CEP09N6,CEP63A3,CEP3070,CED703AL,2N7002W_1,DMN2005K,CEM2108,CEM4282,CEM8208	產(chǎn)品購買
DMN5L06WK-7	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES[Diodes Incorporated]	186.04 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買