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DMN5L06V-7
規(guī)格信息:

標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:FET - 陣列

系列:-

包裝:帶卷(TR)

FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓(Vdss):50V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):280mA

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 歐姆 @ 200mA,2.7V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):-

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V

功率 - 最大值:150mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SOT-563,SOT-666

供應(yīng)商器件封裝:SOT-563

介紹圖DMN5L06V-7
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
DMN5L06V-7DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO-天天IC網(wǎng)133.68 Kbytes共4頁DMN5L06V-7的PDF文件地址FDS9936A,AO8808A,AO4900A,NDS9936,CEM9936,NDS8963,AO8810,AO4812,AO4902,NDS9945 DMN5L06V-7的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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