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制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-26-6

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:305 mA

Rds On-漏源導通電阻:4 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.4 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:304 nC

最小工作溫度:- 65 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:225 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.1 mm

長度:3 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:DMN60

晶體管類型:2 N-Channel

寬度:1.6 mm

商標:Diodes Incorporated

正向跨導 - 最小值:100 mS

下降時間:9.9 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:3.4 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:15.7 ns

典型接通延遲時間:3.9 ns

單位重量:15 mg