系列：DMN
單位重量：8 mg
高度：1 mm
長度：2.9 mm
寬度：1.3 mm
最大工作溫度：+ 150 C
最小工作溫度：- 65 C
安裝風格：SMD/SMT
配置：Single
Vgs-柵極-源極電壓：20 V
Pd-功率耗散：350 mW
通道數(shù)量：1 Channel
Id-連續(xù)漏極電流：800 mA
Vds-漏源極擊穿電壓：60 V
晶體管類型：1 N-Channel
RdsOn-漏源導通電阻：3 Ohms
通道模式：Enhancement
晶體管極性：N-Channel
FET類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：300mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：50pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：350mW（Ta）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：2 歐姆 @ 500mA，10V
工作溫度：-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs