制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PTAB-5
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:25 A
Rds On-漏源導通電阻:10.4 mOhms, 3.5 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.9 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:2.8 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:6 W
配置:Dual
商標名:NexFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.48 mm
長度:5 mm
系列:CSD87588N
晶體管類型:2 N-Channel
寬度:2.5 mm
商標:Texas Instruments
正向跨導 - 最小值:93 S
下降時間:6.3 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:36.7 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:20.1 ns
典型接通延遲時間:12.1 ns
CSD87588N
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