制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:BGA-10
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:14 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.6 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.3 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:40 nC, 40 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.5 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:NexFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.2 mm
長(zhǎng)度:3.37 mm
系列:CSD87501L
晶體管類型:2 N-Channel
寬度:1.47 mm
商標(biāo):Texas Instruments
正向跨導(dǎo) - 最小值:48 S, 48 S
下降時(shí)間:712 ns, 712 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:260 ns, 260 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:709 ns, 709 ns
典型接通延遲時(shí)間:164 ns, 164 ns
單位重量:3.100 mg