制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:VSON-8
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:20 A
Rds On-漏源導通電阻:8.3 mOhms, 8.3 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:750 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
Qg-柵極電荷:8.3 nC, 8.3 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:6 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:NexFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1 mm
長度:3.3 mm
系列:CSD87334Q3D
晶體管類型:1 N-channel
寬度:3.3 mm
商標:Texas Instruments
下降時間:17 ns, 17 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:7 ns, 7 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:11 ns, 11 ns
典型接通延遲時間:4 ns, 4 ns
單位重量:76 mg