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制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:LSON-CLIP-8

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:25 V

Id-連續(xù)漏極電流:4.5 A

Vgs th-柵源極閾值電壓:900 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:5 V

Qg-柵極電荷:4.8 nC, 9.2 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:6 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商標名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.5 mm

長度:3.3 mm

系列:CSD86330Q3D

晶體管類型:2 N-Channel

寬度:3.3 mm

商標:Texas Instruments

正向跨導 - 最小值:52 S, 82 S

開發(fā)套件:CSD86330EVM-717, TPS40322EVM-679

下降時間:1.9 ns, 4.2 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:7.5 ns, 6.3 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:8.5 ns, 15.8 ns

典型接通延遲時間:4.9 ns, 5.3 ns

單位重量:64 mg