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制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:DSBGA-12
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:25 V
Id-連續(xù)漏極電流:5 A
Rds On-漏源導通電阻:42 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:3.1 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.5 W
配置:Dual
商標名:NexFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.62 mm
長度:2.32 mm
系列:CSD86311W1723
晶體管類型:2 N-Channel
寬度:1.74 mm
商標:Texas Instruments
正向跨導 - 最小值:6.4 S
下降時間:2.9 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:4.3 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:13.2 ns
典型接通延遲時間:5.4 ns
單位重量:4.100 mg
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