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CSD86356Q5D
規(guī)格信息:

制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SON-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:25 V

Id-連續(xù)漏極電流:40 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.5 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:950 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:7.9 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:12 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:Reel

系列:CSD86356Q5D

晶體管類型:PowerBlock

商標:Texas Instruments

正向跨導(dǎo) - 最小值:70 S

下降時間:3 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:26 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:12 ns

典型接通延遲時間:7 ns

介紹圖CSD86356Q5D
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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