制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:LSON-CLIP-8
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:15 A
Rds On-漏源導通電阻:18 mOhms, 5.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:2.7 nC, 6.4 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:6 W
配置:Dual
商標名:NexFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.5 mm
長度:3.3 mm
系列:CSD87331Q3D
晶體管類型:2 N-Channel
寬度:3.3 mm
商標:Texas Instruments
正向跨導 - 最小值:48 S / 26 S
下降時間:1.3 ns, 2.4 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:4.5 ns, 4.7 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:7.4 ns, 11.2 ns
典型接通延遲時間:3.4 ns, 3.8 ns
單位重量:41 mg