制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PTAB-5
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:8 A
Rds On-漏源導通電阻:16.3 mOhms, 7.6 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.1 V, 1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
Qg-柵極電荷:3.9 nC, 8.9 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:4 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
商標名:NexFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.48 mm
長度:3 mm
系列:CSD87381P
晶體管類型:2 N-Channel
寬度:2.5 mm
商標:Texas Instruments
正向跨導 - 最小值:40 S, 89 S
開發(fā)套件:CSD87381PEVM-603
下降時間:3 ns, 2.9 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:19.3 ns, 16.3 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:10.6 ns, 16.8 ns
典型接通延遲時間:6.7 ns, 7.9 ns