制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:LSON-CLIP-8
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:25 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.4 Ohms, 1.2 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V, 750 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:5.7 nC, 10.7 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:6 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:NexFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.5 mm
長度:3.3 mm
系列:CSD87335Q3D
晶體管類型:2 N-Channel
寬度:3.3 mm
商標(biāo):Texas Instruments
正向跨導(dǎo) - 最小值:59 S, 107 S
下降時間:4 ns, 5 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:29 ns, 27 ns
工廠包裝數(shù)量:250
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:13 ns, 17 ns
典型接通延遲時間:8 ns, 8 ns
單位重量:68.100 mg