制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PTAB-5
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:30 A
Rds On-漏源導通電阻:6.4 mOhms, 1.95 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:7.1 nC, 31 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:8 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
商標名:NexFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.45 mm
長度:5 mm
系列:CSD87384M
晶體管類型:2 N-Channel
類型:Synchronous Buck NexFET Power Stage
寬度:3.5 mm
商標:Texas Instruments
正向跨導 - 最小值:67 S, 240 S
開發(fā)套件:CSD87384MEVM-603
下降時間:7.6 ns, 8.2 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:56 ns, 49 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:14 ns, 29 ns
典型接通延遲時間:8.7 ns, 17.5 ns