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制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管

RoHS:是

技術(shù):Si

封裝 / 箱體:IS4 (34 mm )-5

安裝風(fēng)格:Chassis Mount

配置:Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V

集電極—射極飽和電壓:2.5 V

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:100 A

Pd-功率耗散:625 W

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 150 C

封裝:Tray

高度:30.5 mm

長(zhǎng)度:94 mm

寬度:34 mm

商標(biāo):Infineon Technologies

集電極連續(xù)電流:105 A

柵極—射極漏泄電流:400 nA

產(chǎn)品類型:IGBT Transistors

工廠包裝數(shù)量:10

子類別:IGBTs

零件號(hào)別名:BSM75GAR120DN2HOSA1 SP000100462

單位重量:154.120 g