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BSM50GP60
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產品種類:IGBT 模塊

RoHS:

產品:IGBT Silicon Modules

配置:Hex

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V

集電極—射極飽和電壓:2.2 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:70 A

柵極—射極漏泄電流:300 nA

Pd-功率耗散:250 W

封裝 / 箱體:EconoPIM2

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 125 C

封裝:Tray

高度:17 mm

長度:107.5 mm

寬度:45 mm

商標:Infineon Technologies

安裝風格:Chassis Mount

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

產品類型:IGBT Modules

工廠包裝數量:10

子類別:IGBTs

零件號別名:BSM50GP60BOSA1 SP000100380

介紹圖BSM50GP60
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
BSM50GP60Hochstzulassige Werte / Maximum rated values EUPEC[eupec GmbH]EUPEC[eupec GmbH]的LOGO-天天IC網135.64 Kbytes共12頁BSM50GP60的PDF文件地址BSM100GP60,FZ1600R17KF6B2,FZ1800R12KL4C,FZ1200R12KE3,FZ1200R17KF6B2,FZ1200R17KF6CB2,FZ1200R33KF2-B5,FZ1200R33KL2,BSM75GB60DLC,BSM75GB120DLC BSM50GP60的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
BSM50GP60GIGBT 模塊 600V 50A PIMInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網8.43 Mbytes共142頁BSM50GP60G的PDF文件地址 BSM50GP60G的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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