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制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:IGBT 模塊

產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules

配置:Hex

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V

集電極—射極飽和電壓:2.5 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:50 A

柵極—射極漏泄電流:200 nA

Pd-功率耗散:350 W

封裝 / 箱體:EconoPACK 2

最大工作溫度:+ 150 C

封裝:Tray

高度:17 mm

長度:107.5 mm

寬度:45.5 mm

商標(biāo):Infineon Technologies

安裝風(fēng)格:Chassis Mount

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

產(chǎn)品類型:IGBT Modules

工廠包裝數(shù)量:10

子類別:IGBTs

零件號別名:BSM50GD120DN2E3226BOSA1 SP000100366