制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
RoHS:是
產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
配置:Single Dual Emitter
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V
集電極—射極飽和電壓:2.6 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:800 A
柵極—射極漏泄電流:200 nA
Pd-功率耗散:3.12 kW
封裝 / 箱體:62 mm
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 125 C
封裝:Tray
高度:36.5 mm
長度:106.4 mm
寬度:61.4 mm
商標:Infineon Technologies
安裝風格:Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
產(chǎn)品類型:IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量:10
子類別:IGBTs
零件號別名:BSM400GA170DLCHOSA1 SP000100714