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BSM300GA170DN2E3166
規(guī)格信息:

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:IGBT 模塊

產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules

配置:Single Dual Emitter

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:440 A

最大工作溫度:+ 150 C

封裝 / 箱體:62 mm

封裝:Reel

商標:Infineon Technologies

柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V

最小工作溫度:- 40 C

安裝風格:Screw

介紹圖BSM300GA170DN2E3166
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
BSM300GA170DN2E3166IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Enlarged diode area) SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]的LOGO-天天IC網(wǎng)124.77 Kbytes共9頁BSM300GA170DN2E3166的PDF文件地址BSM150GB120DN2E3166,BSM150GB170DN2E3166,BSM35GB120DN2,BSM300GA120DN2E3166,BSM200GB120DN2,BSM25GB120DN2,BSM100GB120DN2,BSM100GB120DN2K,BSM100GB170DN2,BSM400GB60DN2 BSM300GA170DN2E3166的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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