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BSM200GAL120DN2
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:IGBT 模塊

RoHS:是

商標(biāo):Infineon Technologies

產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules

配置:Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V

集電極—射極飽和電壓:2.5 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:290 A

柵極—射極漏泄電流:400 nA

最大工作溫度:+ 150 C

封裝 / 箱體:HB 200GAL

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

最小工作溫度:- 40 C

安裝風(fēng)格:Screw

Pd-功率耗散:1.4 kW

工廠包裝數(shù)量:500

介紹圖BSM200GAL120DN2
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
BSM200GAL120DN2IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Package with insulated metal base plate) SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]的LOGO-天天IC網(wǎng)76.86 Kbytes共5頁BSM200GAL120DN2的PDF文件地址BSM25GAL120DN2,BSM50GAL120DN2,BSM100GT120DN2,BSM100GB170DN2,BSM150GB120DN2,BSM150GB170DN2,BSM200GB120DN2,BSM25GB120DN2,BSM400GB60DN2,BSM50GB120DN2 BSM200GAL120DN2的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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