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制造商:ROHM Semiconductor

產(chǎn)品種類(lèi):分立半導(dǎo)體模塊

RoHS:是

產(chǎn)品:Power Semiconductor Modules

類(lèi)型:SiC Power MOSFET

Vgs - 柵極-源極電壓:- 4 V, 22 V

安裝風(fēng)格:Screw Mount

封裝 / 箱體:Module

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 150 C

系列:BSMx

封裝:Tray

配置:Half-Bridge

商標(biāo):ROHM Semiconductor

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:N-Channel

典型延遲時(shí)間:50 ns

下降時(shí)間:50 ns

Id-連續(xù)漏極電流:180 A

Pd-功率耗散:880 W

產(chǎn)品類(lèi)型:Discrete Semiconductor Modules

上升時(shí)間:70 ns

工廠包裝數(shù)量:12

子類(lèi)別:Discrete Semiconductor Modules

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:165 ns

典型接通延遲時(shí)間:50 ns

Vds-漏源極擊穿電壓:1200 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.7 V

零件號(hào)別名:BSM180D12P3C007