制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
RoHS:否
產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
配置:Hex
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
集電極—射極飽和電壓:2.7 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:15 A
柵極—射極漏泄電流:120 nA
Pd-功率耗散:80 W
封裝 / 箱體:EconoPACK 2
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 150 C
封裝:Tray
高度:17 mm
長(zhǎng)度:107.5 mm
寬度:45.5 mm
商標(biāo):Infineon Technologies
安裝風(fēng)格:Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
產(chǎn)品類型:IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量:10
子類別:IGBTs
零件號(hào)別名:BSM10GD120DN2BOSA1 SP000100367
單位重量:180 g