制造商:ROHM Semiconductor
產(chǎn)品種類:分立半導(dǎo)體模塊
RoHS:是
產(chǎn)品:Power Semiconductor Modules
類型:SiC Power MOSFET
Vgs - 柵極-源極電壓:- 6 V, 22 V
安裝風(fēng)格:Screw Mount
封裝 / 箱體:Module
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 150 C
系列:BSMx
封裝:Bulk
配置:Half-Bridge
高度:21.1 mm
長度:122 mm
寬度:45.6 mm
商標(biāo):ROHM Semiconductor
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
典型延遲時(shí)間:45 ns
下降時(shí)間:60 ns
Id-連續(xù)漏極電流:134 A
Pd-功率耗散:935 W
產(chǎn)品類型:Discrete Semiconductor Modules
上升時(shí)間:50 ns
工廠包裝數(shù)量:12
子類別:Discrete Semiconductor Modules
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:170 ns
典型接通延遲時(shí)間:45 ns
Vds-漏源極擊穿電壓:1200 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.6 V
零件號別名:BSM120D12P2C005
單位重量:279.413 g