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BSM120D12P2C005
規(guī)格信息:

制造商:ROHM Semiconductor

產(chǎn)品種類:分立半導(dǎo)體模塊

RoHS:

產(chǎn)品:Power Semiconductor Modules

類型:SiC Power MOSFET

Vgs - 柵極-源極電壓:- 6 V, 22 V

安裝風(fēng)格:Screw Mount

封裝 / 箱體:Module

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 150 C

系列:BSMx

封裝:Bulk

配置:Half-Bridge

高度:21.1 mm

長度:122 mm

寬度:45.6 mm

商標(biāo):ROHM Semiconductor

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

典型延遲時(shí)間:45 ns

下降時(shí)間:60 ns

Id-連續(xù)漏極電流:134 A

Pd-功率耗散:935 W

產(chǎn)品類型:Discrete Semiconductor Modules

上升時(shí)間:50 ns

工廠包裝數(shù)量:12

子類別:Discrete Semiconductor Modules

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:170 ns

典型接通延遲時(shí)間:45 ns

Vds-漏源極擊穿電壓:1200 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.6 V

零件號別名:BSM120D12P2C005

單位重量:279.413 g

介紹圖BSM120D12P2C005
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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