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產(chǎn)品種類：IGBT 模塊

產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules

配置：Hex

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V

集電極—射極飽和電壓：2.7 V

在25 C的連續(xù)集電極電流：50 A

柵極—射極漏泄電流：150 nA

功率耗散：280 W

最大工作溫度：+ 150 C

封裝 / 箱體：EconoPACK 2

商標(biāo)：Infineon Technologies

柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V

最小工作溫度：- 40 C

安裝風(fēng)格：Screw

工廠包裝數(shù)量：500

ROHS： 含鉛