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BSM50GD120DN2G
規(guī)格信息：

產(chǎn)品種類：IGBT 模塊

產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules

配置：Hex

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V

集電極—射極飽和電壓：2.5 V

在25 C的連續(xù)集電極電流：78 A

柵極—射極漏泄電流：200 nA

功率耗散：400 W

最大工作溫度：+ 150 C

封裝 / 箱體：EconoPACK 3A

商標(biāo)：Infineon Technologies

柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V

安裝風(fēng)格：Screw

工廠包裝數(shù)量：500

ROHS： 含鉛

介紹圖BSM50GD120DN2G
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
BSM50GD120DN2GIGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]的LOGO-天天IC網(wǎng)182.91 Kbytes共9頁BSM50GD120DN2G的PDF文件地址BSM150GT120DN2,BSM15GD120D2,BSM15GD60DN2,BSM200GT120DN2,BSM25GD120D2,BSM35GD120D2,BSM50GD120DN2,BSM50GD120DN2E3226,BSM50GD60DN2,BSM50GD60DN2E3226 BSM50GD120DN2G的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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