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BSM75GAL120DN2
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產品種類:IGBT 模塊

RoHS:是

產品:IGBT Silicon Modules

配置:Half Bridge

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V

集電極—射極飽和電壓:2.5 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:105 A

柵極—射極漏泄電流:400 nA

Pd-功率耗散:625 W

封裝 / 箱體:Half Bridge GAL 1

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 150 C

封裝:Tray

高度:30.5 mm

長度:94 mm

寬度:34 mm

商標:Infineon Technologies

安裝風格:Chassis Mount

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

產品類型:IGBT Modules

工廠包裝數量:10

子類別:IGBTs

零件號別名:BSM75GAL120DN2HOSA1 SP000106455

介紹圖BSM75GAL120DN2
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
BSM75GAL120DN2IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes) SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]的LOGO-天天IC網62.94 Kbytes共5頁BSM75GAL120DN2的PDF文件地址BSM100GAL120DN2,BSM150GAL120DN2,BSM150GAL120DN2E3166,BSM25GAL120DN2,BSM50GAL120DN2,BSM300GA120DN2E3166,BSM100GT120DN2,BSM100GB170DN2,BSM150GB120DN2,BSM400GA120DL BSM75GAL120DN2的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
BSM75GAL120DN2IGBT Power Module EUPEC[eupec GmbH]EUPEC[eupec GmbH]的LOGO-天天IC網140.11 Kbytes共6頁BSM75GAL120DN2的PDF文件地址 BSM75GAL120DN2的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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