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制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-23-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續(xù)漏極電流:2.4 A

Rds On-漏源導通電阻:100 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:400 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:4.5 V

Qg-柵極電荷:4.8 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:806 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.02 mm

長度:3.04 mm

產(chǎn)品:MOSFET Small Signal

系列:ZXMN2B01

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:1.4 mm

商標:Diodes Incorporated

正向跨導 - 最小值:6.1 S

下降時間:10.5 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:3.6 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:17.8 ns

典型接通延遲時間:3.6 ns

單位重量:8 mg