Rohs：Lead free / RoHS Compliant
標準包裝：500
FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點：Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）：20V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：8.3A
Rds（最大）@ ID，VGS：20 mOhm @ 11A, 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id：700mV @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：18.9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：1900pF @ 10V
功率 - 最大：1.56W
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供應商器件封裝：8-SOP
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
包裝：8SOIC
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：20 V
最大連續(xù)漏極電流：10.2 A
RDS -于：[email protected] mOhm
最大門源電壓：±12 V
典型導通延遲時間：7.9 ns
典型上升時間：10 ns
典型關(guān)閉延遲時間：33.3 ns
典型下降時間：13.6 ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標準包裝：Tape & Reel
最大門源電壓：±12
包裝寬度：4(Max)
PCB：8
最大功率耗散：2500
最大漏源電壓：20
歐盟RoHS指令：Compliant
最大漏源電阻：[email protected]
每個芯片的元件數(shù)：1
最低工作溫度：-55
供應商封裝形式：SOIC
標準包裝名稱：SOIC
最高工作溫度：150
渠道類型：N
包裝長度：5(Max)
引腳數(shù)：8
包裝高度：1.5(Max)
最大連續(xù)漏極電流：10.2
封裝：Tape and Reel
鉛形狀：Gull-wing
P（ TOT ）：1.56W
匹配代碼：ZXMN2A02N8TA
R（ THJC ）：n.s.K/W
LogicLevel：YES
單位包：500
標準的提前期：16 weeks
最小起訂量：1000
Q（克）：18.9nC
LLRDS （上）：0.02Ohm
汽車：NO
LLRDS （上）在：4,5.V
我（D ）：10.2A
V（ DS ）：20V
技術(shù)：Trench
的RDS（on ） at10V：0.02Ohm
無鉛Defin：RoHS-conform
FET特點：Logic Level Gate
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：8.3A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：700mV @ 250μA
供應商設(shè)備封裝：8-SOP
其他名稱：ZXMN2A02N8TR
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：20 mOhm @ 11A, 4.5V
FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：1.56W
漏極至源極電壓（Vdss）：20V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：1900pF @ 10V
閘電荷（Qg ） @ VGS：18.9nC @ 4.5V
封裝/外殼：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量：500
產(chǎn)品種類：MOSFET
晶體管極性：N-Channel
配置：Single Quad Drain Triple Source
源極擊穿電壓：+/- 12 V
連續(xù)漏極電流：10.2 A
安裝風格：SMD/SMT
RDS（ON）：40 mOhms
功率耗散：1.56 W
最低工作溫度：- 55 C
封裝/外殼：SO-8
上升時間：10 ns
最高工作溫度：+ 150 C
漏源擊穿電壓：20 V
RoHS：RoHS Compliant