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ZXMN20B28KTC
規(guī)格信息:

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Id-連續(xù)漏極電流:2.3 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:750 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.6 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:8.1 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:4.3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:ZXMN20

晶體管類型:1 N-Channel

商標:Diodes Incorporated

正向跨導(dǎo) - 最小值:6.13 S

下降時間:57.1 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:76.9 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:44.7 ns

典型接通延遲時間:17.8 ns

單位重量:4 g

介紹圖ZXMN20B28KTC
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
ZXMN20B28KTC200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO-天天IC網(wǎng)657.42 Kbytes共8頁ZXMN20B28KTC的PDF文件地址 ZXMN20B28KTC的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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