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Rohs：Lead free / RoHS Compliant

標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特點：Logic Level Gate

漏極至源極電壓（VDSS）：20V

電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：6.2A

Rds（最大）@ ID，VGS：20 mOhm @ 11A, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：700mV @ 250μA

柵極電荷（Qg）@ VGS：18.6nC @ 4.5V

輸入電容（Ciss）@?Vds的：1900pF @ 10V

功率 - 最大：1.1W

安裝類型 ：Surface Mount

包/盒 ：8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

供應(yīng)商器件封裝：8-MSOP

包裝材料 ：Tape & Reel (TR)

FET特點：Logic Level Gate

封裝：Tape & Reel (TR)

安裝類型：Surface Mount

電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：6.2A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：700mV @ 250μA

封裝/外殼：8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-MSOP

開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：20 mOhm @ 11A, 4.5V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：1.1W

標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000

漏極至源極電壓（Vdss）：20V

輸入電容（Ciss ） @ VDS：1900pF @ 10V

閘電荷（Qg ） @ VGS：18.6nC @ 4.5V