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Rohs：Lead free / RoHS Compliant

標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500

FET 型 ：2 N-Channel (Dual)

FET特點(diǎn)：Logic Level Gate

漏極至源極電壓（VDSS）：20V

電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C：5.9A

Rds（最大）@ ID，VGS：25 mOhm @ 5.9A, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：700mV @ 250μA

柵極電荷（Qg）@ VGS：40.5nC @ 4.5V

輸入電容（Ciss）@?Vds的：1880pF @ 10V

功率 - 最大：1.25W

安裝類型 ：Surface Mount

包/盒 ：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供應(yīng)商器件封裝：8-SOP

包裝材料 ：Tape & Reel (TR)

FET特點(diǎn)：Logic Level Gate

封裝：Tape & Reel (TR)

安裝類型：Surface Mount

電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：5.9A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：700mV @ 250μA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP

開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：25 mOhm @ 5.9A, 4.5V

FET型：2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：1.25W

標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500

漏極至源極電壓（Vdss）：20V

輸入電容（Ciss ） @ VDS：1880pF @ 10V

閘電荷（Qg ） @ VGS：40.5nC @ 4.5V

封裝/外殼：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)