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Rohs：Lead free / RoHS Compliant

標(biāo)準(zhǔn)包裝：10,000

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特點(diǎn)：Logic Level Gate

漏極至源極電壓（VDSS）：20V

電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C：3.7A

Rds（最大）@ ID，VGS：55 mOhm @ 7.2A, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：700mV @ 250μA

柵極電荷（Qg）@ VGS：8.2nC @ 4.5V

輸入電容（Ciss）@?Vds的：837pF @ 10V

功率 - 最大：1.1W

安裝類(lèi)型 ：Surface Mount

包/盒 ：SOT-23-6

供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-6

包裝材料 ：Tape & Reel (TR)

FET特點(diǎn)：Logic Level Gate

封裝：Tape & Reel (TR)

安裝類(lèi)型：Surface Mount

電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：3.7A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：700mV @ 250μA

封裝/外殼：SOT-23-6

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-6

開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：55 mOhm @ 7.2A, 4.5V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：1.1W

標(biāo)準(zhǔn)包裝：10,000

漏極至源極電壓（Vdss）：20V

輸入電容（Ciss ） @ VDS：837pF @ 10V

閘電荷（Qg ） @ VGS：8.2nC @ 4.5V