Rohs:Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
FET 型
:MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn):Logic Level Gate
漏極至源極電壓(VDSS):20V
電流-連續(xù)漏極(編號(hào))@ 25°C:3.7A
Rds(最大)@ ID,VGS:55 mOhm @ 7.2A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id:700mV @ 250μA
柵極電荷(Qg)@ VGS:8.2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)@?Vds的:837pF @ 10V
功率 - 最大:1.1W
安裝類(lèi)型
:Surface Mount
包/盒
:SOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-6
包裝材料
:Tape & Reel (TR)
FET特點(diǎn):Logic Level Gate
封裝:Tape & Reel (TR)
安裝類(lèi)型:Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極(Id ) @ 25 °C:3.7A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id:700mV @ 250μA
封裝/外殼:SOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-6
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id ,V GS:55 mOhm @ 7.2A, 4.5V
FET型:MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大:1.1W
標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
漏極至源極電壓(Vdss):20V
輸入電容(Ciss ) @ VDS:837pF @ 10V
閘電荷(Qg ) @ VGS:8.2nC @ 4.5V