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PSMN009-100W
規(guī)格信息：

制造商:NXP

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

商標:NXP Semiconductors

Id-連續(xù)漏極電流:100 A

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Rds On-漏源導通電阻:9 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:100 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:100 ns

工廠包裝數(shù)量:25

典型關閉延遲時間:260 ns

典型接通延遲時間:40 ns

零件號別名:PSMN009-100W,127

介紹圖PSMN009-100W
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
PSMN009-100WTrenchMOS transistor PHILIPS[NXP Semiconductors]PHILIPS[NXP Semiconductors]的LOGO-天天IC網(wǎng)28.85 Kbytes共4頁PSMN009-100W的PDF文件地址BUK95150-55A,BUK7506-30,BUK7528-55,BUK7880-55,BUK9514-55,BUK9608-55,BUK9635-55,IRF530N,PHB65N06T PSMN009-100W的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
PSMN009-100WN-channel TrenchMOS transistor PHILIPS[NXP Semiconductors]PHILIPS[NXP Semiconductors]的LOGO-天天IC網(wǎng)121.61 Kbytes共8頁PSMN009-100W的PDF文件地址PHP34NQ10T,PHP9NQ20T,PSMN020-150W,PSMN130-200D,PSMN005-75P,IRF530N,PHB45NQ10T,PHN70308,PHT2NQ10T,PSMN030-150B PSMN009-100W的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
PSMN009-100W,127MOSFET N-CH 100V 100A SOT429NXP USA Inc.NXP USA Inc.的LOGO-天天IC網(wǎng)93.26 Kbytes共8頁PSMN009-100W,127的PDF文件地址 PSMN009-100W,127的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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詢價型號*數(shù)量*批號封裝品牌其它要求
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