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PSMN002-25B
規(guī)格信息：

制造商:NXP

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:75 A

Vds-漏源極擊穿電壓:25 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.6 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :15 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:230 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

商標(biāo):NXP Semiconductors

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:285 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:175 ns

典型關(guān)閉延遲時間:355 ns

典型接通延遲時間:53 ns

介紹圖PSMN002-25B
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
PSMN002-25BN-channel enhancement mode field-effect transistor PHILIPS[NXP Semiconductors]PHILIPS[NXP Semiconductors]的LOGO-天天IC網(wǎng)288.29 Kbytes共13頁PSMN002-25B的PDF文件地址PHP45N03LTA,PSMN165-200K,BSH111,PH1955L,PHP47NQ10T,SI2302DS,PHP54N06T,SI2304DS,PSMN008-75P,PHP55N03LTA PSMN002-25B的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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