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PSMN008-75B
規(guī)格信息：

制造商:NXP

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:75 A

Vds-漏源極擊穿電壓:75 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:8.5 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:230 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

封裝:Reel

商標(biāo):NXP Semiconductors

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:80 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:55 ns

典型關(guān)閉延遲時間:88 ns

典型接通延遲時間:18 ns

PSMN008-75B

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
PSMN008-75B	N-channel enhancement mode field-effect transistor	PHILIPS[NXP Semiconductors]	132.64 Kbytes	共14頁	PHP45N03LTA,PSMN165-200K,BSH111,PH1955L,PHP47NQ10T,SI2302DS,PSMN002-25P,PHP54N06T,SI2304DS,PHP55N03LTA	產(chǎn)品購買
PSMN008-75B	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET	NXP[NXP Semiconductors]	220.09 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
PSMN008-75B,118	MOSFET TAPE13 PWR-MOS	Nexperia	700.96 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
PSMN008-75B,118	MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK	Nexperia USA Inc.	713.21 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
PSMN008-75B,118		Nexperia(安世)	713.21 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買