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PSMN004-60B
規(guī)格信息：

制造商:NXP

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:75 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.6 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:230 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

商標(biāo):NXP Semiconductors

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:75 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:74 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:133 ns

典型接通延遲時(shí)間:38 ns

PSMN004-60B

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買
PSMN004-60B	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET	NXP[NXP Semiconductors]	219.37 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購(gòu)買
PSMN004-60B	N-channel enhancement mode field-effect transistor	PHILIPS[NXP Semiconductors]	279.83 Kbytes	共13頁	PHP45N03LTA,PSMN165-200K,PHP47NQ10T,SI2302DS,BSH111,PH1955L,PHP54N06T,SI2304DS,PSMN008-75P,PSMN002-25P	產(chǎn)品購(gòu)買
PSMN004-60B,118	MOSFET TAPE13 PWR-MOS	Nexperia	699.74 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購(gòu)買
PSMN004-60B,118	MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK	Nexperia USA Inc.	712.23 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購(gòu)買
PSMN004-60B,118		Nexperia(安世)	712.23 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購(gòu)買