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PSMN009-100B
規(guī)格信息：

制造商:NXP

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:75 A

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:8.8 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:230 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

封裝:Reel

商標:NXP Semiconductors

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:43 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:59 ns

典型關(guān)閉延遲時間:120 ns

典型接通延遲時間:38 ns

PSMN009-100B

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
PSMN009-100B	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET	NXP[NXP Semiconductors]	189.19 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購買
PSMN009-100B	N-channel enhancement mode field-effect transistor	PHILIPS[NXP Semiconductors]	271.41 Kbytes	共13頁	PHP45N03LTA,PSMN165-200K,BSH111,PH1955L,PHP47NQ10T,SI2302DS,PSMN008-75P,PSMN002-25P,PHP54N06T,SI2304DS	產(chǎn)品購買
PSMN009-100B,118	MOSFET TAPE13 PWR-MOS	Nexperia	677.53 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購買
PSMN009-100B,118	MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK	NXP Semiconductors	685.68 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購買
PSMN009-100B,118		Nexperia(安世)	685.68 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購買