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IXFN24N100
規(guī)格信息：

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Chassis Mount

封裝 / 箱體:SOT-227-4

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1 kV

Id-連續(xù)漏極電流:24 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:390 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:568 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:HyperFET

封裝:Tube

高度:9.6 mm

長度:38.23 mm

系列:IXFN24N100

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:25.42 mm

商標(biāo):IXYS

正向跨導(dǎo) - 最小值:22 S

下降時間:21 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:35 ns

工廠包裝數(shù)量:10

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:75 ns

典型接通延遲時間:35 ns

單位重量:30 g

IXFN24N100

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
IXFN24N100	HiPerRF Power MOSFETs	IXYS[IXYS Corporation]	105.16 Kbytes	共2頁	IXFX44N50F,IXFH12N100F,IXFN55N50F,IXFX21N100F,IXFR55N50F,IXFH28N50,IXFK24N100,IXFH12N50F,MRF184,SD2933	產(chǎn)品購買
IXFN24N100	HiPerFET-TM Power MOSFET	IXYS[IXYS Corporation]	91.67 Kbytes	共4頁	IXFE180N10,VKM60-01P1,IXFE36N100,IRF530,MMDF4P03HD,MMSF5P02HD,A3938SEQ,MTD3302,IRL510S,IXTK140N20P	產(chǎn)品購買
IXFN24N100_08	HiPerFET Power MOSFET	IXYS[IXYS Corporation]	113.92 Kbytes	共4頁		產(chǎn)品購買
IXFN24N100F	HiPerRF Power MOSFETs	IXYS[IXYS Corporation]	105.16 Kbytes	共2頁	IXFX44N50F,IXFH12N100F,IXFN55N50F,IXFX21N100F,IXFR55N50F,IXFH28N50,IXFK24N100,IXFH12N50F,MRF184,SD2933	產(chǎn)品購買
IXFN24N100F	HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching	IXYS[IXYS Corporation]	108.0 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買

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