制造商:IXYS
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Chassis Mount
封裝 / 箱體:SOT-227-4
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:150 V
Id-連續(xù)漏極電流:240 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:5.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:460 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:830 W
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:HiPerFET
封裝:Tube
系列:IXFN240N15
類型:GigaMOS Trench T2 HiperFet
商標(biāo):IXYS
正向跨導(dǎo) - 最小值:125 S
下降時間:145 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:125 ns
工廠包裝數(shù)量:10
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:77 ns
典型接通延遲時間:48 ns
單位重量:30 g