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制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

商標(biāo):IXYS

Id-連續(xù)漏極電流:26 A

Vds-漏源極擊穿電壓:900 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:300 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:600 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-227-4

封裝:Tube

通道模式:Enhancement

配置:Single Dual Source

下降時(shí)間:24 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值:28 S

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:35 ns

系列:IXFN26N90

工廠包裝數(shù)量:10

商標(biāo)名:HyperFET

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:130 ns

典型接通延遲時(shí)間:60 ns

單位重量:38 g