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制造商:International Rectifier

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:2.1 A

Vds-漏源極擊穿電壓:- 200 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.725 Ohms

晶體管極性:P-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:14 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:LLCC-18

商標(biāo):International Rectifier

通道模式:Enhancement

配置:Single Hex Drain Octal Source Dual Gate

下降時間:50 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:70 ns

典型關(guān)閉延遲時間:40 ns

典型接通延遲時間:50 ns