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IRFE9130
規(guī)格信息：

封裝/外殼：18-pinLCC

Technology：Hi-Rel DISCRETE

RDS(on) Ohms：0.3

Circuit：Discrete

Polarity：P

ID @ 25C (A)：-6.5

Base Part Status：Active

DLA Qualified：QPL

JEDEC Part Number：2N6849U

ID @ 100C (A)：-4.1

BVDSS：-100

RoHS：No

Power Dissipation (W)：25

Halogen-Free：Yes

無鉛情況/RoHs：否

介紹圖IRFE9130
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IRFE9130P-CHANNEL POWER MOSFET SEME-LAB[Seme LAB]SEME-LAB[Seme LAB]的LOGO-天天IC網(wǎng)16.9 Kbytes共2頁IRFE9130的PDF文件地址SI3831DV,UPA2713GR,STS4DPF20L,STS7C4F30L,STT3PF20V,AF9478P,AAT8307,AAT8543,AP2030SD,AP4501GSD IRFE9130的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IRFE9130REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC網(wǎng)203.0 Kbytes共7頁IRFE9130的PDF文件地址IRFE9110,IRFE9110,IRF044,IRFE130,IRFE230,IRF240,IRFAC40,IRFE024,N5027,2SA1759_1 IRFE9130的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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