產品培訓模塊：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
設計資源：IRF7799L2TR1PBF Saber Model IRF7799L2TR1PBF Spice Model
標準包裝：4,000
類別：分立半導體產品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓（Vdss）：250V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：375A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：38 毫歐 @ 21A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：165nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：6714pF @ 25V
功率 - 最大值：4.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：DirectFET? 等距 L8
供應商器件封裝：DIRECTFET L8
其它名稱：IRF7799L2TRPBF-NDIRF7799L2TRPBFTR