FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：375A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：300nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：11560pF @ 25V
功率耗散（最大值）：3.3W（Ta），125W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：3.5 毫歐 @ 74A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET L8
封裝/外殼：MG-WDSON-11
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Id-連續(xù)漏極電流：124A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：2.8mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：20V
Qg-柵極電荷：200nC
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+175C
配置：SingleHexDrainOctalSource
Pd-功率耗散：125W
通道模式：Enhancement
商標(biāo)名：DirectFET
封裝：CutTape
高度：0.74mm
長度：9.15mm
晶體管類型：1N-Channel
寬度：7.1mm
下降時間：41ns
上升時間：32ns
典型關(guān)閉延遲時間：92ns
典型接通延遲時間：44ns
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs