典型關(guān)斷延遲時(shí)間155 ns
典型接通延遲時(shí)間13 ns
典型柵極電荷@Vgs29 nC V @ 10
典型輸入電容值@Vds1464 pF V @ 25
安裝類型表面貼裝
寬度4.4mm
封裝類型TSSOP
尺寸3 x 4.4 x 1mm
引腳數(shù)目8
最低工作溫度-55 °C
最大功率耗散1000 mW
最大柵源電壓±20 V
最大漏源電壓30 V
最大漏源電阻值0.035
最大連續(xù)漏極電流4.5 A
最高工作溫度+150 °C
每片芯片元件數(shù)目2
類別功率 MOSFET
通道模式增強(qiáng)
通道類型P
配置雙、雙源
長(zhǎng)度3mm
高度1mm