產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設(shè)計(jì)資源：IRF7726TR Saber Model IRF7726TR Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝：80
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：7A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：26 毫歐 @ 7A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：69nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：2204pF @ 25V
功率 - 最大值：1.79W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：Micro8?
其它名稱：*IRF7726