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典型關(guān)斷延遲時間244 ns

典型接通延遲時間17 ns

典型柵極電荷@Vgs48 nC V @ 10

典型輸入電容值@Vds2211 pF V @ 25

安裝類型表面貼裝

寬度4.4mm

封裝類型TSSOP

尺寸3 x 4.4 x 1mm

引腳數(shù)目8

最低工作溫度-55 °C

最大功率耗散1510 mW

最大柵源電壓±20 V

最大漏源電壓30 V

最大漏源電阻值0.022

最大連續(xù)漏極電流7 A

最高工作溫度+150 °C

每片芯片元件數(shù)目1

類別功率 MOSFET

通道模式增強(qiáng)

通道類型P

配置四源、單、三漏極

長度3mm

高度1mm