產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
標準包裝：100
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：4.6A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：46 毫歐 @ 4.6A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：38nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：3150pF @ 25V
功率 - 最大值：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-TSSOP