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IRF7601
規(guī)格信息：

制造商:International Rectifier

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:5.7 A

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:35 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :12 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.8 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:Micro-8

商標(biāo):International Rectifier

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降時(shí)間:32 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:47 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:24 ns

典型接通延遲時(shí)間:5.1 ns

IRF7601

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買
IRF7601	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.035ohm)	IRF[International Rectifier]	116.88 Kbytes	共8頁(yè)	IRF5Y3710CM,SHD225701,SHD244702,SBF50P10-023L,SHD224701,NTTS2P03R2,MMSF10N03Z,MRF151,MTSF3N03HD,PVG613	產(chǎn)品購(gòu)買
IRF7601PBF	ULTRA LOW ON RESISTANCE	IRF[International Rectifier]	214.35 Kbytes	共8頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
IRF7601PBF	Generation V Technology	IRF[International Rectifier]	214.35 Kbytes	共8頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
IRF7601PBF_15	ULTRA LOW ON RESISTANCE	IRF[International Rectifier]	214.35 Kbytes	共8頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
IRF7601TR	Generation V Technology	IRF[International Rectifier]	119.4 Kbytes	共8頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
IRF7601TRPBF	MOSFET MOSFT 20V 5.7A 35mOhm 14nC Micro 8	Infineon Technologies	209.46 Kbytes	共8頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
IRF7601TRPBF	MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8	Infineon Technologies	217.69 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
IRF7601TRPBF	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：5.7A 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：700mV @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：35mΩ @ 3.8A, 4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	208.77 Kbytes	共8頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買